가이드
PlasmaCCP는 트렌드 스크리닝 도구입니다. 아래 순서대로 따라가면 효율적으로 실행하고 결과를 바르게 읽을 수 있습니다.
1단계 — 기준선 또는 프리셋 선택
시뮬레이터를 열고 300 mm CCP 기준선을 쓰거나 드롭다운에서 공정 프리셋을 선택하세요. 기준선은 비교 기준점이 되고, 프리셋은 일반 공정의 설정 시간을 줄여줍니다.
수정 전에 기준선 결과를 저장해두면 나중에 깔끔하게 비교할 수 있습니다.
2단계 — 형상 확인 및 편집
Geometry Editor에서 챔버 레이아웃을 확인하고 편집하세요. 편집 도구는 Basic·Advanced 두 모드에서 동일하게 쓸 수 있습니다:
- 좌측 도구 레일로 rect, circle, polyline을 그립니다.
- Properties 패널에서 역할(전원 전극, 웨이퍼, 유전체, 펌핑 포트)을 지정합니다.
- Auto Chamber로 구조물 주위 챔버 경계를 자동으로 맞춥니다.
- Snap to Grid를 켜면 정밀하게 배치할 수 있고, 선택한 형상에 치수가 표시됩니다.
- 메뉴 바의 Align 도구로 도메인 경계 기준으로 형상을 정렬합니다.
Validation 패널에서 겹치는 형상, 도메인 이탈, 누락된 역할(전원 전극, 펌핑 포트)을 실시간으로 확인할 수 있습니다.
우선 Basic 모드로 작업하세요. 다중 RF 소스, 영역별 DC 바이어스, 보정 계수, 자기장, 모델·표시 옵션이 필요할 때 Advanced로 넘어가세요. 메시 제어는 모드와 무관하며 Pro 플랜에서 열립니다.
3단계 — 공정 파라미터 설정
사이드바에서 가스, 압력, 전력, bias, 주파수를 조정하세요. 한 번 실행할 때 변경 항목을 하나로 제한하면 버전 비교와 Compare 결과를 훨씬 쉽게 해석할 수 있습니다.
4단계 — 실행 및 결과 확인
Run을 누르면 결과가 표시됩니다:
- 요약 카드 — 핵심 수치를 먼저 확인하세요.
- 전계 맵 — 형상·전력 변경에 따른 전계 집중 변화를 확인하세요.
- 전자 밀도 맵 — 공간 분포 트렌드를 봅니다.
- 전력 흡수 밀도 — 이전 실행 대비 에너지 분포 변화를 봅니다.
- Te (eV) 맵 — 전자 온도의 공간 트렌드 (플라즈마 외부 0, 평균은 0D 에너지 밸런스에 정합)
- Sheath 진단 — 방향성 지표로만 활용하세요; 공인된 절대값이 아닙니다.
5단계 — 버전 저장
로그인 후 이름을 지정하고 저장하세요. 이후 편집은 새 버전으로 저장되어 이전 상태로 되돌릴 수 있습니다. 저장된 형상은 계정에 비공개로 보관됩니다.
6단계 — 비교 및 반복 (Pro)
Compare에서 두 실행을 나란히 놓고 비교하거나, Split Test로 Base와 Variant를 정의해 변수 하나의 영향을 확인하세요. 두 기능 모두 결제 연동 준비 중으로 접근이 제어됩니다.
자주 하는 실수와 문제 해결
- 프리셋을 양산 레시피로 쓰기 — 프리셋은 챔버 무관한 출발점입니다. 공정 결론을 내리기 전에 실제 장비에 맞게 압력·전력·형상을 조정하세요.
- 실행 실패 — 챔버 경계 형상이 있고 전원 전극이 지정되어 있는지 확인하세요. Validation 패널이 실행 전에 이를 표시합니다. 시간 초과가 발생하면 메시 밀도(nr, nz)를 낮추세요.
- 예상치 못한 결과 변화 — 마지막 저장 이후 입력이 바뀌었는지 확인하세요. 버전 기록에서 이전 상태를 불러와 재실행할 수 있습니다.
- 형상 유효성 검사 경고 — 형상이 겹치면 예기치 않은 영역 지정이 발생할 수 있습니다. 실행 전에 오류를 해결하세요.
- 출력 수치 오독 — ‖E‖·흡수파워·Te·유동은 물리 단위(V/m, W/m³, eV, m/s)로 파워 밸런스에 정합되지만, 절대값은 여전히 트렌드 수준 보정치입니다. 실험 검증 없이 절대값을 공정 승인에 사용하지 마세요.